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湖北可控硅-使用黄金规则

2018/12/5 16:17:00 来源:http://hb.combat-elec.com/news32842.html

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1.为了导通双向湖北可控硅,必须有门极电流≥IGT,直至负载电流达到≥IL。这个条件必须满足,并按可能遇到的最低温度考虑。


2.要断开(切换)双向可控硅,负载电流必须并维持足够长的时间,使能回复至截止状态。在可能的最高运行温度下必须满足上述条件。


3.设计双向可控硅触发电路时,只要有可能,就要避开3+象限(WT2-,+)


4.为了减少杂波吸收,门极连线长度降至最低。返回线直接连至MT1(或阴极)。若用硬线,用螺旋双线或屏蔽线。门极和MT1间加电阻1KΩ或更小。高频旁路电容和门极间串接电阻。另一解决方法,选低灵敏双向可控硅。


5.若dVD/dVCOM/dt可能引起的问题 ,在MT1和MT2间加入RC缓冲电路。若高dICOM/dt可能引起问题,加入一几mH的电感和负载串联。


6.假如双向可控硅的VDRM在严重的,导常的电源瞬间过程中有可能被超出,采用下列两种措施:负载上串联电感量为几uH的不饱和电感,以限制dIT/dt或者用MOV跨接于电源,并在电源侧增加滤波电路。(韩景元)


7.选用好的门极触发电器,避开3+象限工况,可能最大限度的提高双可控硅的dIT/dt承受能力。


8.若双向可控硅的dIT/dt有可能被超出,负载上最好串联一个几uH的无铁芯电感或负温度系数的热敏电阻。另一种解决办法:对电阻性负载采购零电压导通。


9.器件固定到散热器时,避免让双向可控硅受到应力,固定,然后焊接引线。不要把铆钉芯轴放在器件接口片一侧。


10.为了长期可靠的工作,应保证Rthj-a足够低,维持 Tj不高于Tjmax,其值相应于可能的最高环境温度。

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