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博昌达告诉你怎么区分低压与高压湖北MOS管

2020/3/15 3:00:00 来源:http://hb.combat-elec.com/news335103.html

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湖北MOS管的结构是在一块夹杂浓度值较低的P型半导体材料硅衬底上,用半导体材料光刻、扩散工艺制做2个高夹杂浓度值的N+区,并且用金属材料铝引出来2个电级,各自做为漏极D和源极S。随后在漏极和源极中间的P型半导体材料表层覆盖一层太薄的二氧化硅(Si02)电缆护套膜,在再这一电缆护套膜上用上一个铝电级,做为栅极G。这就组成了一个N沟道(NPN型)加强型MOS管。它的栅极和其他电级间是绝缘层的。

一样用所述同样的方式在一块夹杂浓度值较低的N型半导体材料硅衬底上,用半导体材料光刻、扩散工艺制做2个高夹杂浓度值的P+区,及所述同样的栅极制做全过程,就做成为一个P沟道(PNP型)加强型MOS管。

MOS管的分类:

MOSFET是FET的一种(另一种是JFET),能够 被生产制造成加强型或耗光型,P沟道或N沟道4种种类,但具体运用的只能加强型的N沟道MOS管和加强型的P沟道MOS管,因此一般 提及NMOS,或是PMOS指的就是说这二种。

MOS管的归类方式有多种多样归类方式:

①按工作电压归类

可分成中底压mos管和髙压mos管

②按输出功率归类

MOS管
可分成功率、中输出功率和小输出功率mos管

③可分成结型管和绝缘层栅型

结型管(JFET):结型场效应管有二种构造方式,他们是N沟道结型场效应管和P沟道结型场效应管。

绝缘层栅型:绝缘层栅场效应管也是二种构造方式,他们是N沟道型和P沟道型。不论是哪些沟道,他们又分成加强型和耗光型二种。

按沟道归类:

可分成N沟道和P沟道管(在符号图中可见到正中间的箭头符号方位不一样)。

MOS管的差别:

底压mos管与髙压mos管的差别:髙压mos管工作电压在400V~1000V上下,底压mos管在1~40V上下。

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