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三极管与湖北MOS管是如何正确驱动电路的呢

2020/9/13 3:00:00 来源:http://hb.combat-elec.com/news462584.html

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三极管与湖北MOS管是如何正确驱动电路的呢:

一、三极管和MOS管的基础特点

三极管是电流量操纵电流量元器件,用基极电流量的转变操纵集电结电流量的转变。有NPN型三极管和PNP型三极管二种,标记以下:

MOS管是工作电压操纵电流量元器件,用栅极工作电压的转变操纵漏极电流量的转变。有P断面MOS管(通称PMOS)和N断面MOS管(通称NMOS),标记以下(这里只探讨常见的加强型MOS管):

二、三极管和MOS管的恰当运用

1.NPN型三极管,合适射极接GND集电结接负荷到VCC的状况。要是基极工作电压高过射极工作电压(这里为GND)0.7V,即发射结正偏(VBE为正),NPN型三极管就可以刚开始通断。基极用上拉电阻驱动器NPN型三极管通断(低电频时不通断);基极除限流电阻外,更优质的设计方案是,接下拉电阻10-20k到GND;

优势是:

①使基极操纵脉冲信号由高降低时,基极可以迅速被降低,NPN型三极管可以迅速更靠谱地截至;

②系统刚通电时,基极是明确的低电频。

2.PNP型三极管,合适射极接VCC集电结接负荷到GND的状况。要是基极工作电压小于射极工作电压(这里为VCC)0.7V,即发射结反偏(VBE为负),PNP型三极管就可以刚开始通断。基极用低电频驱动器PNP型三极管通断(上拉电阻时不通断);基极除限流电阻外,更优质的设计方案是,接上拉电阻10-20k到VCC;

优势是:①使基极操纵脉冲信号由低变高时,基极可以迅速被拉升,PNP型三极管可以迅速更靠谱地截至;②系统软件刚通电时,基极是明确的上拉电阻。

因此 ,如上所述:

对NPN三极管而言,最佳的设计方案是,负荷R12接在集电结和VCC中间。不足周全的设计方案是,负荷R12接进射极和GND中间。

对PNP三极管而言,最佳的设计方案是,负荷R14接在集电结和GND中间。不足周全的设计方案是,负荷R14接在发射极和VCC中间。那样,就可以防止负荷的转变被藕合到操纵端。从电流方向能够显著看得出。

单向可控硅,MOS管
3.PMOS,合适源极接VCC漏极接负荷到GND的状况。要是栅极工作电压小于源极工作电压(这里为VCC)超出Vth(即Vgs超出-Vth),PMOS就可以刚开始通断。栅极用低电频驱动器PMOS通断(上拉电阻时不通断);栅极除限流电阻外,更优质的设计方案是,接上拉电阻10-20k到VCC,使栅极操纵脉冲信号由低变高时,栅极可以迅速被拉升,PMOS可以迅速更靠谱地截至。

4.NMOS,合适源极接GND漏极接负荷到VCC的状况。要是栅极工作电压高过源极工作电压(这里为GND)超出Vth(即Vgs超出Vth),NMOS就可以刚开始通断。栅极用上拉电阻驱动器NMOS通断(低电频时不通断);栅极除限流电阻外,更优质的设计方案是,接下拉电阻10-20k到GND,使栅极操纵脉冲信号由高降低时,栅极可以迅速被降低,NMOS可以迅速更靠谱地截至。

如上所述:对PMOS而言,最佳的设计方案是,负荷R16接进漏极和GND中间。不足周全的设计方案是,负荷R16接进源极和VCC中间。对NMOS而言,最佳的设计方案是,负荷R18接进漏极和VCC中间。不足周全的设计方案是,负荷R18接进源极和GND中间。

三、设计原理

为防止负荷的转变被藕合到操纵端(基极Ib或栅极Vgs)的高精密逻辑性元器件(如MCU)中,负荷该接在集电结或漏极。当地电子器件文件目录代销商,选用“小批量生产、现货交易、试品”营销模式,着眼于考虑顾客多型号规格、高品质、迅速交货的购置要求。唯样建造高效率智能物流,有着直营库存量超70,000种,出示一站式真品现货交易购置、人性化解决方法、型号选择取代等多样化服务项目。

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