单向可控硅的基本参数主要有什么

单向可控硅的基本参数主要有什么：

常见的有阻容移相桥开启电源电路、单结晶体三极管开启电源电路、晶体三极管开启电源电路、运用小双向晶闸管开启大双向晶闸管的开启电源电路这些。

①额定值通态均值电流量IT在一定标准下，阳极氧化---负极间能够持续根据的50赫兹正弦交流电半波电流量的均值。

②顺向阻隔最高值工作电压VPF在操纵极引路没加开启数据信号，阳极氧化顺向工作电压还未超出导能工作电压时，能够反复加在单向可控硅两边的顺向最高值工作电压。单向可控硅承担的顺向工作电压最高值，不可以超出指南得出的这一变量值。

④开启工作电压VGT在要求的工作温度下，阳极氧化---负极间加上一定工作电压时，单向可控硅从关闭情况变为通断情况所必须的最少操纵极电流量和工作电压。

⑤保持电流量IH在要求溫度下，操纵极短路，保持单向可控硅通断所必不可少的最少阳极氧化顺向电流量。很多新式单向可控硅元器件相继问世，如适合高频率运用的迅速单向可控硅，可以用正或负的开启数据信号操纵2个方位通断的双重单向可控硅，可以用正开启数据信号使其通断，用负开启数据信号使其关闭的单向可控硅这些。