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湖北MOS管和IGBT相比较于哪个具有更大的优势呢

2021-03-15 03:00:00 来源:http://hb.combat-elec.com/news572435.html

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湖北MOS管和IGBT相比较于哪个具有更大的优势:

IGBT是通过在MOSFET的漏极上添加一层而形成的, IGBT实际上是MOSFET和晶体管的组合。 MOSFET具有高导通电阻的缺点,但IGBT克服了这一缺点,而IGBT在高电压下仍具有低导通电阻。

此外,对于功率容量相近的IGBT和MOSFET,由于IGBT具有关断尾部时间,因此IGBT的速度可能比MOSFET的速度慢。由于IGBT的关断拖尾时间长,空载时间也将更长,这将影响通断电平。

MOS管,双向可控硅
选择MOS管还是IGBT?

在电路中,选择MOS管作为电源开关管还是IGBT管是工程师经常遇到的问题。如果考虑系统电压,电流,开关功率等因素。

通常,MOSFET的优势在于它具有良好的高频特性,并且工作频率可以达到数百kHz甚至高达MHz。缺点是在高电压和大电流情况下导通电阻很大。在大功率情况下表现出色,具有低导通电阻和高耐压。

MOSFET用于开关电源,镇流器,高频感应加热,高频逆变焊机,通信电源和其他高频电源领域; IGBT主要用于焊接机,逆变器,变频器,电镀和电解电源,超音频感应加热等领域。

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