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湖北MOS管的结构是怎么样的呢

2021-04-28 03:00:00 来源:http://hb.combat-elec.com/news601989.html

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湖北MOS管的结构是怎么样的呢:

MOS管的结构是使用半导体光刻和扩散工艺在掺杂浓度较低的P型半导体硅衬底上制作两个掺杂浓度较高的N+区。用金属铝引出两个电极,分别用作漏极D和源极S。然后,在漏极和源极之间的P型半导体表面上覆盖一层薄的二氧化硅(SiO2)绝缘膜,并在该绝缘膜上安装铝电极作为栅极G。这构成了N沟道(NPN型)增强型MOS管,它的栅极和其他电极是绝缘的。  

单向可控硅,MOS管
使用与上述相同的方法,通过半导体光刻和扩散工艺在一块掺杂浓度较低的N型半导体硅衬底上制作两个掺杂浓度较高的P+区,并且与上述相同。制造过程中,制成P沟道(PNP型)增强型MOS管。显示了(a)和(b)的P沟道MOS流水线结构图和代表符号。

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