MOS管的结构是怎么样的呢:
MOS管的结构是使用半导体光刻和扩散工艺在掺杂浓度较低的P型半导体硅衬底上制作两个掺杂浓度较高的N+区。用金属铝引出两个电极,分别用作漏极D和源极S。然后,在漏极和源极之间的P型半导体表面上覆盖一层薄的二氧化硅(SiO2)绝缘膜,并在该绝缘膜上安装铝电极作为栅极G。这构成了N沟道(NPN型)增强型MOS管,它的栅极和其他电极是绝缘的。
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