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湖北MOS管的结构是怎么样的呢

2021/4/28 3:00:00 来源：http://hb.combat-elec.com/news601989.html

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湖北MOS管的结构是怎么样的呢：

MOS管的结构是使用半导体光刻和扩散工艺在掺杂浓度较低的P型半导体硅衬底上制作两个掺杂浓度较高的N+区。用金属铝引出两个电极，分别用作漏极D和源极S。然后，在漏极和源极之间的P型半导体表面上覆盖一层薄的二氧化硅（SiO2）绝缘膜，并在该绝缘膜上安装铝电极作为栅极G。这构成了N沟道（NPN型）增强型MOS管，它的栅极和其他电极是绝缘的。  

单向可控硅,MOS管
使用与上述相同的方法，通过半导体光刻和扩散工艺在一块掺杂浓度较低的N型半导体硅衬底上制作两个掺杂浓度较高的P+区，并且与上述相同。制造过程中，制成P沟道（PNP型）增强型MOS管。显示了（a）和（b）的P沟道MOS流水线结构图和代表符号。

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