三极管和湖北MOS管之间的控制差异是什么

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三极管和湖北MOS管之间的控制差异是什么：

三极管和MOS管之间的驱动存在差异。三极管由电流驱动，而MOS管由电压驱动。只要三极管的基极驱动电压高于Ube的死区电压，就可以对其进行控制，晶体管导通。硅材料晶体管的死区电压通常为0.6V，锗材料晶体管的死区电压通常为0.3V。因此对于硅材料晶体管，控制晶体管的电压仅高于约0.6V。对于由锗制成的三极管，只需要高于约0.3V。  

MOS晶体管不同。MOS晶体管是电压驱动的，其驱动电压必须高于要导通的死区电压Ugs的最小值。不同类型的MOS晶体管的Ug最小。该值有所不同，一般在3V?5V左右，最小为2.5V，但这只是刚接通，其电流很小，还处于放大区域的初始阶段。通常，MOS管达到饱和时的驱动电压大约需要6V?10V。  

了解三极管和MOS管在控制上的区别之后，湖北单片机的I/O端口如何控制三极管和MOS管？单片机通常使用5V或3.3V电源，其I/O端口高电平为5V或3.3V。处理器通常会注意低功耗。如今，越来越多的单芯片计算机使用3.3V电源，因此其I/O端口仅为3.3V。  

3.3V的电压足以驱动晶体管。该晶体管属于电流驱动。根据I/O端口的电压VIO和限流电阻R1的值，可以计算出基极电流Ib=（VIO-0.6V）/R1，选择不同的电阻R1，可以改变基极电流，只要VIO大于0.6V，就可以使晶体管工作在饱和区域。

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