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三极管和MOS管的恰当运用有什么作用

2021-08-10 03:00:00 来源:http://hb.combat-elec.com/news662622.html

三极管和MOS管的恰当运用有什么作用:

(1)NPN型三极管,合适射极接GND集电结接负荷到VCC的状况。只需基极电压高过射极电压(这里为GND)0.7V,即发射结正偏(VBE为正),NPN型三极管就可以逐渐导通。

基极用上拉电阻推动NPN型三极管导通(低电频时不导通);基极除功率电阻外,更优质的设计方案是,接下拉电阻10-20k到GND;优势是,①使基极操纵脉冲信号由高降低时,基极可以迅速被降低,NPN型三极管可以迅速更靠谱地截至;②系统软件刚通电时,基极是明确的低电频。

(2)PNP型三极管,合适射极接VCC集电结接负荷到GND的状况。只需基极电压小于射极电压(这里为VCC)0.7V,即发射结反偏(VBE为负),PNP型三极管就可以逐渐导通。

基极用低电频推动PNP型三极管导通(上拉电阻时不导通);基极除功率电阻外,更优质的设计方案是,接上拉电阻10-20k到VCC;优势是,①使基极操纵脉冲信号由低变高时,基极可以迅速被拉升,PNP型三极管可以迅速更靠谱地截至;②系统软件刚通电时,基极是明确的上拉电阻。

双向可控硅,MOS管
因此 ,如上所述:对NPN三极管而言,最佳的设计方案是,负荷R12接进集电结和VCC中间。不足周全的设计方案是,负荷R12接进射极和GND中间。

对PNP三极管而言,最佳的设计方案是,负荷R14接进集电结和GND中间。不足周全的设计方案是,负荷R14接进集电结和VCC中间。那样,就可以防止负荷的转变 被藕合到操纵端。从电流方向能够显著看得出。

(3)PMOS,合适源极接VCC漏极接负荷到GND的状况。只需栅极电压小于源极电压(这里为VCC)超出Vth(即Vgs超出-Vth),PMOS就可以逐渐导通。栅极用低电频推动PMOS导通(上拉电阻时不导通);栅极除功率电阻外,更优质的设计方案是,接上拉电阻10-20k到VCC,使栅极操纵脉冲信号由低变高时,栅极可以迅速被拉升,PMOS可以迅速更靠谱地截至。

(4)NMOS,合适源极接GND漏极接负荷到VCC的状况。只需栅极电压高过源极电压(这里为GND)超出Vth(即Vgs超出Vth),NMOS就可以逐渐导通。栅极用上拉电阻推动NMOS导通(低电频时不导通);栅极除功率电阻外,更优质的设计方案是,接下拉电阻10-20k到GND,使栅极操纵脉冲信号由高降低时,栅极可以迅速被降低,NMOS可以迅速更靠谱地截至。

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