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双向可控硅整流的原理是什么

2021-08-12 03:00:00 来源:http://hb.combat-elec.com/news663957.html

双向可控硅整流的原理是什么:

双向可控硅整流器(SiliconControlledRectifier,通称SCR,也称为结晶闸流管)是一种4层的PNPN半导体材料。其內部有着3组PN结结构。是一种功率大的电气元器件,它具备体型小、高效率、使用寿命长等优势。在全自动自动控制系统中,可做为功率大的控制器件,完成用小输出功率控制操纵功率大的机器设备。它在交直流电源电机调速系统软件、调功系统软件及转向头灯系统软件中获得了普遍的运用。

针对PNPN结合的半导体材料而言,不论是将其左侧设为正级或是将其右侧设为正级,从任何一方看以往都是有反方向的PN结(截至情况)存有。比如,左方接正级,则P1N1和P2N2的2个结成正方向,但N1P2成反方向。在这里状况下,电流量是不太可能导通的。

PN结具备单边导电率,那以前大家学习培训的PNP型和NPN型的晶体三极管也是怎样导通电流量的呢?

下面大家试将P1N1P2N2的4层半导体材料的P1层接好充电电池的正级、N2层接好负级以后,再将此外一组充电电池的正级收到P2层,负级收到N2层上,結果电流量导通全部元器件。这个是为什么呢?

双向可控硅,MOS管
最先,大家把P1N1P2N2的4层当做是由P1N1P2层与N1P2N2层复合型而成的。即把它当做是由PNP型晶体三极管与NPN型晶体三极管的复合型。针对P2N2而言,如下图所示载入的是正方向电压,产生电子器件、空穴的挪动。

这时,从N2地区越过P2进到基极地区N1中的电子器件所有流人顶层P1N1P2晶体三极管的基极地区N1。进到顶层晶体三极管基极地区的电子器件促进顶层发射极地区的空穴挪动,进一步造成 集电结地区 P1的空穴蔓延。

根据以上姿势的不断,则电流量导通双向可控硅整流器全部元器件。针对PNPN层的两边而言,本来不管载入如何方位的电压都不可以导通,能够根据对在其中间的PN层增加正方向电压,导通全部元器件。

晶闸管的P1 层的接线端子称之为阳极氧化(A),N2层的接线端子称之为负极(K),P2层的接线端子称之为栅极(G)。换句话说,根据对栅极负极中间载入正方向电压就可以导通阳极氧化-栅极。

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