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单向可控硅整流的原理是什么呢

2021-09-05 03:00:00 来源:http://hb.combat-elec.com/news678654.html

单向可控硅整流的原理是什么呢:

单向可控硅整流器(SiliconControlledRectifier,通称SCR,也称为结晶闸流管)是一种4层的PNPN半导体材料。其內部有着3组PN结结构。是一种功率大的电气元器件,它具备体型小、高效率、使用寿命长等优势。在全自动控制技术中,可做为功率大的控制器件,完成用小输出功率控制操控功率大的机器设备。它在交直流电源电机调速系统软件、调功系统软件及转向头灯系统软件中取得了普遍的运用。

针对PNPN结合的半导体材料而言,不论是将其左侧设为正级或是将其右侧设为正级,从任何一方看以往都是有方向的PN结(截至情况)存有。比如,左方接正级,则P1N1和P2N2的2个结成正方向,但N1P2成反方向。在这里情形下,电流量是不太可能通断的。

PN结具备单方面导电率,那以前大家培训的PNP型和NPN型的晶体三极管也是怎样通断交流电的呢?

单向可控硅,MOS管
下面大家试将P1N1P2N2的4层半导体材料的P1层接好充电电池的正级、N2层接好负级以后,再将此外一组充电电池的正级收到P2层,负级收到N2层上,結果电流量通断全部元器件。这个是为什么呢?

最先,大家把P1N1P2N2的4层当做是由P1N1P2层与N1P2N2层复合型而成的。即把它当做是由PNP型晶体三极管与NPN型晶体三极管的复合型。针对P2N2而言,如下图所示载入的是正方向工作电压,产生电子器件、空穴的挪动。

这时,从N二区域越过P2进到基极地区N1中的电子器件所有流人顶层P1N1P2晶体三极管的基极地区N1。进到顶层晶体三极管基极地区的电子器件促进顶层发射极地区的空穴挪动,进一步造成 集电结地区 P1的空穴蔓延。

根据以上姿势的不断,则电流量通断单向可控硅整流器全部元器件。针对PNPN层的两边而言,本来不管载入如何方位的电流都不可以通断,能够利用对在其中间的PN层增加正方向工作电压,通断全部元器件。

晶闸管的P1 层的接线端子称之为阳极氧化(A),N2层的接线端子称之为负极(K),P2层的接线端子称之为栅压(G)。换句话说,根据对栅压负极中间载入正方向工作电压就可以通断阳极氧化-栅压。

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