在剖析单向可控硅原理时,大家常常将这类四层P1N1P2N2构造当作由一个PNP管和NPN管组成。
当阳极氧化A端再加上正方向工作电压时,BG1和BG2管均处在变大情况,这时由操纵极G端键入正方向开启数据信号,促使BG2管用基极电流量ib2根据,历经BG2管的变大后,其集电结电流量为ic2=β2ib2。而ic2沿电源电路流至BG1的基极,故有ib1=ic2,电流量又经BG1管的扩大功能后,获得BG1的集电结电流量为ic1=β1ib1=β1β2ib2。
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