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单向可控硅主要结构控制有什么要求

2022-01-31 03:00:00 来源:http://hb.combat-elec.com/news760621.html

单向可控硅为具有三个 PN 结的四层结构,由最外层的 P 层、N 层引出两个电极――阳 极 A 和阴极 K,由中间的 P 层引出控制极 G。电路符号好像为一只二极管,但好多一个引 出电极――控制极或触发极 G。SCR 或 MCR 为英文缩写名称。

从控制原理上可等效为一只PNP三极管和一只NPN三极管的连接电路,两管的基极电流和集电极电流互为通路,具有强烈的正反反馈作用。一旦从G、K回路输入NPN管子的基极电流,由于正反馈作用,两管将迅即进入饱合导通状态。

可控硅导通之后,它的导通状态完全依靠管子本身的正反馈作用来维持,即使控制电流(电压)消失,可控硅仍处于导通状态。控制信号UGK的作用仅仅是触发可控硅使其导通,导通之后,控制信号便失去控制 作用。

单向可控硅的导通需要两个条件:

①A、K 之间加正向电压;

②G、K 之间输入一个正向触发电流信号,无论是直流或脉冲信号。

若欲使可控硅关断,也有两个关断条件:

①使正向导通电流值小于其工作维持电流值;

②使 A、K 之间电压反向。

可见,可控硅器件若用于直流电路,一旦为触发信号开通,并保持一定幅度的流通电流的话,则可控硅会一直保持开通状态。除非将电源开断一次,才能使其关断。若用于交流电路,则在其承受正向电压期间,若接受一个触发信号,则一直保持导通,直到电压过零点到 来,因无流通电流而自行关断。在承受反向电压期间,即使送入触发信号,可控硅也因 A、 K 间电压反向,而保持于截止状态。 

可控硅器件因工艺上的离散性,其触发电压、触发电流值和导通压降,很难有统一的标准。可控硅器件控制本质上如同三极管一样,为电流控制器件。功率越大,所需触发电流也 越大。触发电压范围一般为 1.5V-3V 左右,触发电流为 10mA-几百 mA 左右。峰值触发 电压不宜超过10V,峰值触发电流也不宜超过 2A。A、K 间导通压降为 1-2V。

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