产品中心 Product Center

联系博昌达电子CONTACT US

咨询热线:13922832581

深圳市博昌达电子科技有限公司

公司电话:13922832581
Email:2355403977@qq.com
地址:深圳市宝安区西乡街道兴业路3012号老兵大厦东三座7005A

双向可控硅的伏安特性有什么

2022-02-12 03:00:00 来源:http://hb.combat-elec.com/news763357.html

双向可控硅是在普通可控硅的基础上发展而成的,它不仅能代替两只反极性并联的可控硅,而且仅需一个触发电路,是比较理想的交流开关器件。其英文名称TRIAC即三端双向交流开关之意。

1、双向可控硅反向特性

当控制极开路,阳极加上反向电压时,J2结正偏,但J1、J3结反偏。此时只能流过很小的反向饱和电流,当电压进一步提高到J1结的雪崩击穿电压后,接差J3结也击穿,电流迅速增加,特性开始弯曲,如特性OR段所示,弯曲处的电压URO叫“反向转折电压”。此时,可控硅会发生永久性反向。

2、双向可控硅正向特性

当控制极开路,阳极上加上正向电压时,J1、J3结正偏,但J2结反偏,这与普通PN结的反向特性相似,也只能流过很小电流,这叫正向阻断状态,当电压增加,特性发生了弯曲,如特性OA段所示,弯曲处的是UBO叫:正向转折电压,由于电压升高到J2结的雪崩击穿电压后,J2结发生雪崩倍增效应,在结区产生大量的电子和空穴,电子时入N1区,空穴时入P2区。

进入N1区的电子与由P1区通过J1结注入N1区的空穴复合,同样,进入P2区的空穴与由N2区通过J3结注入P2区的电子复合,雪崩击穿,进入N1区的电子与进入P2区的空穴各自不能全部复合掉,这样,在N1区就有电子积累,在P2区就有空穴积累,结果使P2区的电位升高,N1区的电位下降,J2结变成正偏,只要电流稍增加,电压便迅速下降,出现所谓负阻特性。

这时J1、J2、J3三个结均处于正偏,可控硅便进入正向导电状态---通态,此时,它的特性与普通的PN结正向特性相似。

    联系我们
  • 深圳市博昌达电子科技有限公司
  • 电话:13922832581 / 0755-86655451
  • 传真:0755-86655436
  • Email:2355403977@qq.com
  • 公司地址:深圳市宝安区西乡街道兴业路3012号老兵大厦东三座7005A
    二维码
  • 微信公众号

    微信公众号

湖北松翰单片机哪家实惠?湖北NIKOSEM哪家好?湖北单向可控硅怎么样?博昌达电子科技有限公司专业提供湖北单向可控硅产品,欢迎咨询!

CopyRight © 2020 版权所有 深圳市博昌达电子科技有限公司