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如何正确选择MOS管?需要注意哪些细节?

2022-03-14 03:00:00 来源:http://hb.combat-elec.com/news777830.html

MOS管由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管。它属于压控半导体器件,具有输入电阻高10^7~10^12Ω)、低噪声、低功耗、动态范围大、易集成、无二次击穿、安全工作区宽等优点,现已成为双极晶体管和功率晶体管的有力竞争者。

①用N沟道或P沟道?

选择一个好的MOS晶体管器件的第一步是决定采用N沟道还是P沟道MOS管。在典型的电源应用中,当MOS管接地并且负载连接到电源电压时,MOS管就构成低压侧开关。在低压侧开关中,考虑到关断或接通器件所需的电压,应采用N沟道MOS管。当MOS管连接到总线并且负载接地时,就使用高压侧开关。通常会在这个拓扑中采用P沟道MOS管,这也是出于对电压驱动的考虑。

②确定MOS管的额定电流

额定电流应该是负载在任何情况下都能承受的最大电流。与电压情况类似,即使系统产生峰值电流,也要确保所选的MOS晶体管能够承受此额定电流。考虑的两种电流情况是连续模式和脉冲尖峰。在连续导通模式下,MOS晶体管处于稳定状态,电流持续流过器件。脉冲尖峰是指有大量电涌(或尖峰电流)流过器件。一旦确定了这些条件下的最大电流,只需直接选择能够承受该最大电流的器件。

单向可控硅,MOS管
③选择MOS管的下一步是系统的散热要求。

必须考虑两种不同的情况,即最坏情况和真实情况。建议采用最坏情况的计算结果,因为这个结果提供了更大的安全裕度,可以保证系统不会出现故障。

④选择MOS管的最后一步是确定MOS管的开关性能。

影响开关性能的参数很多,但最重要的是栅极/漏极、栅极/源极和漏极/源极电容。这些电容会导致器件的开关损耗,因为每次开关时都要充电。因此,MOS管的开关速度降低,并且器件效率也降低。为了计算开关过程中器件的总损耗,应计算开关过程中的损耗(Eon)和开关过程中的损耗(Eoff)。


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